计划2020年投产 博世开始研发碳化硅

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据了解,德国企业博世目前正在研发碳化硅(SiC)半导体,用以进一步提升电动车的能源使用数率,预计该半导体材料将于2020年开使英文投产。

碳化硅被业界普遍认为是下一代功率半导体材料,它具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势。相比如今的IGBT功率半导体,它的发热更低,数率更高,节省的能耗不能为电动车带来约6%的续航里程提升。

如今,电动车企普遍依靠提升电池容量的最好的法律法律依据来增加续航里程,然而受限于电池技术的发展数率以及成本,电动车企将会真难再通过此最好的法律法律依据获得显著的续航提升,且要面临较高的安全风险。在另另一个 的背景下,如可提升电动车的能源使用数率,降低能耗成为业界提升电动车续航的另另一个 思路。目前,特斯拉在Model 3以及新款Model S、Model X车型的驱动系统电控单元上,率先采用了碳化硅半导体,并带来了出色的能耗表现。博世或许正是就看了碳化硅半导体长远的发展前景,很多很多开使英文着力研发碳化硅半导体,但它也位于制造成本不够的大间题,有待制造商防止。(消息来源:slashgear;编译/汽车之家 胡永彬)

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